W6672TE320
Номер детали производителя | W6672TE320 |
---|---|
производитель | IXYS |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A - |
Упаковка | TO-200AF |
В наличии | 5454 pcs |
Техническая спецификация | W6672Tx320-350 Datasheet Prelim~ |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5454 IXYS W6672TE320 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.37 V @ 5000 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1750 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-200AF |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 52 µs |
Упаковка / | TO-200AF |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Box |
Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 160°C |
Тип установки | Chassis Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 mA @ 1750 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6672A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | W6672 |
Рекомендуемые продукты
-
W66BL6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TJ350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W66BL6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TE350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W66BL6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TJ320
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -IXYS -
W66BM6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics