Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > MMIX1F160N30T
IXYS

MMIX1F160N30T

Номер детали производителя MMIX1F160N30T
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD
Упаковка 24-SMPD
В наличии 2048 pcs
Техническая спецификация MMIX1F160N30T
Справочная цена (В долларах США)
20
$16.65
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 2048 IXYS MMIX1F160N30T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 24-SMPD
Серии GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 570W (Tc)
Упаковка / 24-PowerSMD, 21 Leads
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 335 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 300 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 102A (Tc)
Базовый номер продукта MMIX1F160

Рекомендуемые продукты

MMIX1F160N30T DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MMIX1F160N30T

Связанные детали для MMIX1F160N30T