Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > MCB60I1200TZ
IXYS

MCB60I1200TZ

Номер детали производителя MCB60I1200TZ
производитель IXYS
Подробное описание 1200V 90A SIC POWER MOSFET
Упаковка TO-268AA (D3Pak-HV)
В наличии 5735 pcs
Техническая спецификация MCB60I1200TZ Datasheet
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5735 IXYS MCB60I1200TZ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 15mA
Vgs (макс.) +20V, -5V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства TO-268AA (D3Pak-HV)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2790 pF @ 1000 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 160 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 90A (Tc)
Базовый номер продукта MCB60I1200

Рекомендуемые продукты

MCB60I1200TZ DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MCB60I1200TZ

Связанные детали для MCB60I1200TZ