Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTY2N100P
IXTY2N100P Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXTY2N100P

Номер детали производителя IXTY2N100P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Упаковка TO-252AA
В наличии 52881 pcs
Техническая спецификация IXT(A,P,Y)2N100P
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.408 $1.266 $1.037 $0.883 $0.744 $0.707 $0.681
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 52881 IXYS IXTY2N100P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252AA
Серии Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 86W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 655 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24.3 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Tc)
Базовый номер продукта IXTY2

Рекомендуемые продукты

IXTY2N100P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTY2N100P

Связанные детали для IXTY2N100P