Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTT10N100D
IXTT10N100D Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXTT10N100D

Номер детали производителя IXTT10N100D
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Упаковка TO-268AA
В наличии 4586 pcs
Техническая спецификация IXT(H,T)10N100D
Справочная цена (В долларах США)
30
$7.424
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 4586 IXYS IXTT10N100D в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-268AA
Серии Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 400W (Tc)
Упаковка / TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2500 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Tc)
Базовый номер продукта IXTT10

Рекомендуемые продукты

IXTT10N100D DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTT10N100D

Связанные детали для IXTT10N100D