Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTQ26N60P
IXYS

IXTQ26N60P

Номер детали производителя IXTQ26N60P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
Упаковка TO-3P
В наличии 5375 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices Material 23/Jun/2020IXT(H,Q,T,V)26N60P(S)
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5375 IXYS IXTQ26N60P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-3P
Серии Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 460W (Tc)
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4150 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 26A (Tc)
Базовый номер продукта IXTQ26

Рекомендуемые продукты

IXTQ26N60P DataSheet PDF

Техническая спецификация