Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXTP8N65X2M

Номер детали производителя IXTP8N65X2M
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Упаковка TO-220
В наличии 74154 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020IXTP8N65X2M
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.108 $0.994 $0.814 $0.693 $0.585 $0.555 $0.535
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 74154 IXYS IXTP8N65X2M в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии Ultra X2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 32W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Базовый номер продукта IXTP8

Рекомендуемые продукты

IXTP8N65X2M DataSheet PDF

Техническая спецификация