Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTP3N100D2
IXTP3N100D2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXTP3N100D2

Номер детали производителя IXTP3N100D2
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Упаковка TO-220-3
В наличии 53194 pcs
Техническая спецификация IXT(A,P)3N100D2
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.548 $1.392 $1.141 $0.971 $0.819 $0.778 $0.749
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 53194 IXYS IXTP3N100D2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1020 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 37.5 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Tc)
Базовый номер продукта IXTP3

Рекомендуемые продукты

IXTP3N100D2 DataSheet PDF

Техническая спецификация