Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTH200N10T
IXTH200N10T Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXTH200N10T

Номер детали производителя IXTH200N10T
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Упаковка TO-247 (IXTH)
В наличии 22154 pcs
Техническая спецификация IXT(H,Q)200N10T
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$3.778 $3.414 $2.826 $2.461 $2.144
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 22154 IXYS IXTH200N10T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247 (IXTH)
Серии Trench
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 550W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9400 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 152 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200A (Tc)
Базовый номер продукта IXTH200

Рекомендуемые продукты

IXTH200N10T DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTH200N10T

Связанные детали для IXTH200N10T