Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTD3N60P-2J
IXYS

IXTD3N60P-2J

Номер детали производителя IXTD3N60P-2J
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 3A DIE
Упаковка Die
В наличии 5355 pcs
Техническая спецификация Mule Devices EOL 21/Mar/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5355 IXYS IXTD3N60P-2J в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства Die
Серии PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 70W (Tc)
Упаковка / Die
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 411 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Tc)
Базовый номер продукта IXTD3N

Рекомендуемые продукты

IXTD3N60P-2J DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTD3N60P-2J

Связанные детали для IXTD3N60P-2J