Изображение может быть представлением.
IXTA6N100D2
Номер детали производителя
IXTA6N100D2
производитель
IXYS
Подробное описание
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Упаковка
TO-263AA
В наличии
18748 pcs
Техническая спецификация
IXT(A,P,H)6N100D2
Справочная цена (В долларах США)
1
10
100
500
1000
2000
$3.169
$2.862
$2.37
$2.064
$1.797
$1.731
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 18748 IXYS IXTA6N100D2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id
-
Vgs (макс.)
±20V
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства
TO-263AA
Серии
Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Рассеиваемая мощность (макс)
300W (Tc)
Упаковка /
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка
Tube
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта
Значение атрибута
Тип установки
Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2650 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Тип FET
N-Channel
FET Характеристика
Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
-
Слить к источнику напряжения (VDSS)
1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
6A (Tc)
Базовый номер продукта
IXTA6
IXTA6N100D2 DataSheet PDF
Техническая спецификация
DataShieT File обзор
