Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFV18N60P
IXYS

IXFV18N60P

Номер детали производителя IXFV18N60P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
Упаковка PLUS220
В наличии 5793 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 16/Dec/2013IXFH18N60P, IXFV18N60P/PS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5793 IXYS IXFV18N60P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PLUS220
Серии HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 360W (Tc)
Упаковка / TO-220-3, Short Tab
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2500 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта IXFV18

Рекомендуемые продукты

IXFV18N60P DataSheet PDF

Техническая спецификация