Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFT50N60X
IXFT50N60X Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXFT50N60X

Номер детали производителя IXFT50N60X
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Упаковка TO-268
В наличии 8452 pcs
Техническая спецификация IXF(H,Q,T)50N60X
Справочная цена (В долларах США)
300
$3.948
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 8452 IXYS IXFT50N60X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-268
Серии HiPerFET™, Ultra X
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 660W (Tc)
Упаковка / TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4660 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 116 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IXFT50

Рекомендуемые продукты

IXFT50N60X DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFT50N60X

Связанные детали для IXFT50N60X