Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFP130N10T
IXFP130N10T Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXFP130N10T

Номер детали производителя IXFP130N10T
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Упаковка TO-220-3
В наличии 23672 pcs
Техническая спецификация IXF(A,P)130N10T
Справочная цена (В долларах США)
50
$1.417
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 23672 IXYS IXFP130N10T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии HiPerFET™, Trench
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 360W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5080 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 130A (Tc)
Базовый номер продукта IXFP130

Рекомендуемые продукты

IXFP130N10T DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFP130N10T

Связанные детали для IXFP130N10T