Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFK120N65X2
IXYS

IXFK120N65X2

Номер детали производителя IXFK120N65X2
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Упаковка TO-264AA
В наличии 5888 pcs
Техническая спецификация IXF(K,X)120N65X2
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$9.117 $8.408 $7.18 $6.519
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5888 IXYS IXFK120N65X2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-264AA
Серии HiPerFET™, Ultra X2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1250W (Tc)
Упаковка / TO-264-3, TO-264AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 15500 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 225 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)
Базовый номер продукта IXFK120

Рекомендуемые продукты

IXFK120N65X2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFK120N65X2

Связанные детали для IXFK120N65X2