Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFH4N100Q
IXYS

IXFH4N100Q

Номер детали производителя IXFH4N100Q
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD
Упаковка TO-247AD (IXFH)
В наличии 6117 pcs
Техническая спецификация IXF(H,T)4N100Q
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 6117 IXYS IXFH4N100Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247AD (IXFH)
Серии HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Базовый номер продукта IXFH4

Рекомендуемые продукты

IXFH4N100Q DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFH4N100Q

Связанные детали для IXFH4N100Q