Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IV1Q12050T3

IV1Q12050T3

Номер детали производителя IV1Q12050T3
производитель Inventchip
Подробное описание SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Упаковка TO-247-3
В наличии 4112 pcs
Техническая спецификация IV1Q12050T3
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$13.089 $12.071 $10.308
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Inventchip.У нас есть кусочки 4112 Inventchip IV1Q12050T3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.2V @ 6mA
Vgs (макс.) +20V, -5V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) 327W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2770 pF @ 800 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 120 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 58A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IV1Q12050T3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IV1Q12050T3

Связанные детали для IV1Q12050T3