Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF730

IRF730

Номер детали производителя IRF730
производитель Harris Corporation
Подробное описание N-CHANNEL, MOSFET
Упаковка TO-220
В наличии 89695 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
243
$0.452
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 89695 Harris Corporation IRF730 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 100W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Bulk
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 530 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 400 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.5A (Tc)
Базовый номер продукта IRF7

Рекомендуемые продукты

IRF730 DataSheet PDF

Ключевые слова для IRF730

Связанные детали для IRF730