Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > GT110N06D3
Goford Semiconductor

GT110N06D3

Номер детали производителя GT110N06D3
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Упаковка 8-DFN (3.15x3.05)
В наличии 704902 pcs
Техническая спецификация GT110N06D3
Справочная цена (В долларах США)
5000 15000 30000 50000
$0.083 $0.076 $0.069 $0.064
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 704902 Goford Semiconductor GT110N06D3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-DFN (3.15x3.05)
Серии GT
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 25W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1059 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)

Рекомендуемые продукты

GT110N06D3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для GT110N06D3

Связанные детали для GT110N06D3