Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > G65P06F
Goford Semiconductor

G65P06F

Номер детали производителя G65P06F
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Упаковка TO-220F
В наличии 295375 pcs
Техническая спецификация G65P06F
Справочная цена (В долларах США)
3000 9000 15000 30000 51000
$0.175 $0.168 $0.162 $0.145 $0.135
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 295375 Goford Semiconductor G65P06F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220F
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 39W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6477 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 65A (Tc)

Рекомендуемые продукты

G65P06F DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для G65P06F

Связанные детали для G65P06F