Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > G60N06T
Goford Semiconductor

G60N06T

Номер детали производителя G60N06T
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Упаковка TO-220
В наличии 498219 pcs
Техническая спецификация G60N06T
Справочная цена (В долларах США)
3000 9000 15000 30000 51000
$0.1 $0.096 $0.092 $0.083 $0.077
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 498219 Goford Semiconductor G60N06T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 85W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2050 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)

Рекомендуемые продукты

G60N06T DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для G60N06T

Связанные детали для G60N06T