Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > G10N06
Goford Semiconductor

G10N06

Номер детали производителя G10N06
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Упаковка 8-SOP
В наличии 364831 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
4000
$0.094
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 364831 Goford Semiconductor G10N06 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.6W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2180 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Tc)

Рекомендуемые продукты

G10N06 DataSheet PDF