Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > G08N06S
Goford Semiconductor

G08N06S

Номер детали производителя G08N06S
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Упаковка 8-SOP
В наличии 1278419 pcs
Техническая спецификация G08N06S
Справочная цена (В долларах США)
4000 16000 32000 48000
$0.042 $0.039 $0.035 $0.032
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 1278419 Goford Semiconductor G08N06S в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOP
Серии G
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 979 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Ta)

Рекомендуемые продукты

G08N06S DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для G08N06S

Связанные детали для G08N06S