Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > G06N10
Goford Semiconductor

G06N10

Номер детали производителя G06N10
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Упаковка TO-252 (DPAK)
В наличии 4116 pcs
Техническая спецификация G06N10
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 4116 Goford Semiconductor G06N10 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252 (DPAK)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 25W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 190 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A

Рекомендуемые продукты

G06N10 DataSheet PDF

Техническая спецификация