Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > G04P10HE
Goford Semiconductor

G04P10HE

Номер детали производителя G04P10HE
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Упаковка SOT-223
В наличии 1158403 pcs
Техническая спецификация G04P10HE
Справочная цена (В долларах США)
2500 15000 30000 50000
$0.048 $0.045 $0.04 $0.037
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 1158403 Goford Semiconductor G04P10HE в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-223
Серии G
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.2W (Tc)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1647 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)

Рекомендуемые продукты

G04P10HE DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для G04P10HE

Связанные детали для G04P10HE