Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 630AT
Goford Semiconductor

630AT

Номер детали производителя 630AT
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Упаковка TO-220
В наличии 5034 pcs
Техническая спецификация 630AT
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 5034 Goford Semiconductor 630AT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 83W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 509 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11.8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Tc)

Рекомендуемые продукты

630AT DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для 630AT

Связанные детали для 630AT