Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > GE12160CEA3
GE Aerospace

GE12160CEA3

Номер детали производителя GE12160CEA3
производитель GE Aerospace
Подробное описание 1200V 1425A SiC Half-Bridge
Упаковка Module
В наличии 35 pcs
Техническая спецификация GE12160CEA3
Справочная цена (В долларах США)
1 10
$1249.337 $1176.643
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GE Aerospace.У нас есть кусочки 35 GE Aerospace GE12160CEA3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 480mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии SiC Power
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 475A, 20V
Мощность - Макс 3.75kW (Tc)
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (Tc)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 90000pF @ 600V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 3744nC @ 18V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.425kA (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта GE12160

Рекомендуемые продукты

GE12160CEA3 DataSheet PDF

Техническая спецификация