MSRTA200160AD
| Номер детали производителя | MSRTA200160AD |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Подробное описание | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
| Упаковка | Three Tower |
| В наличии | 759 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 48 |
|---|
| $52.927 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 759 GeneSiC Semiconductor MSRTA200160AD в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 200 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | Three Tower |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Диод Конфигурация | 1 Pair Series Connection |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 200A |
| Базовый номер продукта | MSRTA200 |
Рекомендуемые продукты
-
MSRTA200100(A)D
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA20080D
800V 200A THREE TOWER ISO SILICOGeneSiC Semiconductor -
MSRTA300100(A)D
DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200140AD
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200140(A)D
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200140D
1400V 200A THREE TOWER ISO SILICGeneSiC Semiconductor -
MSRTA300100D
1000V 300A THREE TOWER ISO SILICGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200160D
1600V 200A THREE TOWER ISO SILICGeneSiC Semiconductor -
MSRTA20060D
600V 200A THREE TOWER ISO SILICOGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200120AD
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA20060AD
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA20080(A)D
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA20060(A)D
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA300100AD
DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200100AD
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA20080AD
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200120D
1200V 200A THREE TOWER ISO SILICGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200160(A)D
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRTA200100D
1000V 200A THREE TOWER ISO SILICGeneSiC Semiconductor