MSRT200160A
| Номер детали производителя | MSRT200160A |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Подробное описание | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER |
| Упаковка | Three Tower |
| В наличии | 1668 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 25 |
|---|
| $19.65 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 1668 GeneSiC Semiconductor MSRT200160A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.2 V @ 200 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | Three Tower |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 175°C |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 200A (DC) |
| Базовый номер продукта | MSRT200 |
Рекомендуемые продукты
-
MSRT20060A
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200160(A)
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT20060D
600V 200A THREE TOWER SILICON REGeneSiC Semiconductor -
MSRT20060(A)D
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200120A
DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200160D
1600V 200A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT200140D
1400V 200A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT20080(A)D
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200120AD
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200140(A)D
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200160AD
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200140AD
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200140A
DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT20060(A)
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT20080AD
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200160(A)D
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200140(A)
DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT200120D
1200V 200A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT20060AD
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT20080(A)
DIODE MODULE 800V 200A 3TOWERGeneSiC Semiconductor