Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - массивы > MBR20030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR20030CT

Номер детали производителя MBR20030CT
производитель GeneSiC Semiconductor
Подробное описание DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Упаковка Twin Tower
В наличии 1315 pcs
Техническая спецификация MBR20020CT thru MBR20040CTR
Справочная цена (В долларах США)
80
$33.044
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 1315 GeneSiC Semiconductor MBR20030CT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если 650 mV @ 100 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) 30 V
Технологии Schottky
Поставщик Упаковка устройства Twin Tower
скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Серии -
Упаковка / Twin Tower
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Bulk
Рабочая температура - Соединение -55°C ~ 150°C
Тип установки Chassis Mount
Диод Конфигурация 1 Pair Common Cathode
Ток - Обратный утечки @ Vr 5 mA @ 20 V
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) 200A (DC)
Базовый номер продукта MBR20030

Рекомендуемые продукты

MBR20030CT DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MBR20030CT

Связанные детали для MBR20030CT