Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > GA05JT12-263
GA05JT12-263 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

GA05JT12-263

Номер детали производителя GA05JT12-263
производитель GeneSiC Semiconductor
Подробное описание TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Упаковка TO-263-7
В наличии 6852 pcs
Техническая спецификация GA05JT12-263GA05JT12 31/Aug/2020
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 6852 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) -
Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Поставщик Упаковка устройства TO-263-7
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Рассеиваемая мощность (макс) 106W (Tc)
Упаковка / TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Тип FET -
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Tc)
Базовый номер продукта GA05JT12

Рекомендуемые продукты

GA05JT12-263 DataSheet PDF

Техническая спецификация