2N7638-GA
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 4535 GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Поставщик Упаковка устройства
TO-276
Серии
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 8A
Рассеиваемая мощность (макс)
200W (Tc)
Упаковка /
TO-276AA
Упаковка
Bulk
Свойства продукта
Значение атрибута
Рабочая Температура
-55°C ~ 225°C (TJ)
Тип установки
Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
720 pF @ 35 V
Тип FET
-
FET Характеристика
-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
-
Слить к источнику напряжения (VDSS)
650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
8A (Tc) (158°C)
Рекомендуемые продукты
2N7370
POWER BJT
Microchip Technology
2N7635-GA
TRANS SJT 650V 4A TO257
GeneSiC Semiconductor
2N7368
POWER BJT
Microchip Technology
2N744
SMALL-SIGNAL BJT
Microchip Technology
2N7636-GA
TRANS SJT 650V 4A TO276
GeneSiC Semiconductor
2N7639-GA
TRANS SJT 650V 15A TO257
GeneSiC Semiconductor
2N7375
POWER BJT
Microchip Technology
2N744A
SMALL-SIGNAL BJT
Microchip Technology
2N7369
POWER BJT
Microchip Technology
2N7637-GA
TRANS SJT 650V 7A TO257
GeneSiC Semiconductor
2N7374
POWER BJT
Microchip Technology
2N7640-GA
TRANS SJT 650V 16A TO276
GeneSiC Semiconductor
2N7371
TRANS PNP DARL 100V 12A TO254
Microchip Technology
2N7372
POWER BJT
Microchip Technology
2N757A
SMALL-SIGNAL BJT
Microchip Technology
2N7377
POWER BJT
Microchip Technology
2N7376
POWER BJT
Microchip Technology
2N7373
POWER BJT
Microchip Technology
2N759A
SMALL-SIGNAL BJT
Microchip Technology
2N760A
SMALL-SIGNAL BJT
Microchip Technology
Техническая спецификация
DataShieT File обзор