Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > GPIHV30DFN
GaNPower

GPIHV30DFN

Номер детали производителя GPIHV30DFN
производитель GaNPower
Подробное описание GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
Упаковка Die
В наличии 4238 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$8.274
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GaNPower.У нас есть кусочки 4238 GaNPower GPIHV30DFN в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.4V @ 3.5mA
Vgs (макс.) +7.5V, -12V
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / Die
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 236 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.25 nC @ 6 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A

Рекомендуемые продукты

GPIHV30DFN DataSheet PDF

Ключевые слова для GPIHV30DFN

Связанные детали для GPIHV30DFN