Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > PQMH9Z
NXP Semiconductors

PQMH9Z

Номер детали производителя PQMH9Z
производитель NXP Semiconductors
Подробное описание Digital BJT 2 NPN - Pre-Biased (
Упаковка DFN1010B-6
В наличии 6403 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors.У нас есть кусочки 6403 NXP Semiconductors PQMH9Z в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 2 NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства DFN1010B-6
Серии Automotive, AEC-Q101
Резистор - основание эмиттера (R2) 47kOhms
Резистор - основание (R1) 10kOhms
Мощность - Макс 230mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / 6-XFDFN Exposed Pad
Упаковка Bulk
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 230MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA

Рекомендуемые продукты

PQMH9Z DataSheet PDF

Ключевые слова для PQMH9Z

Связанные детали для PQMH9Z