Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PMWD19UN,518

Номер детали производителя	PMWD19UN,518
производитель	NXP USA Inc.
Подробное описание	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Упаковка	8-TSSOP
В наличии	6284 pcs
Техническая спецификация	PMWD19UN All Dev Label Update 15/Dec/2020 NXP USA Inc REACH NXP USA Inc RoHS Cert

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 6284 NXP USA Inc. PMWD19UN,518 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-TSSOP
Серии	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Мощность - Макс	2.3W
Упаковка /	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1478pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	28nC @ 5V
FET Характеристика	Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.6A
конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта	PMWD19