Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > PMK35EP,518
NXP USA Inc.

PMK35EP,518

Номер детали производителя PMK35EP,518
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание TRANSISTOR >30MHZ
Упаковка 8-SO
В наличии 3859 pcs
Техническая спецификация PMK35EP
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 3859 NXP USA Inc. PMK35EP,518 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 6.9W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14.9A (Tc)

Рекомендуемые продукты

PMK35EP,518 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PMK35EP,518

Связанные детали для PMK35EP,518