Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > PHKD13N03LT,518
NXP USA Inc.

PHKD13N03LT,518

Номер детали производителя PHKD13N03LT,518
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Упаковка 8-SO
В наличии 6084 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 6084 NXP USA Inc. PHKD13N03LT,518 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V
Мощность - Макс 3.57W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 752pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10.7nC @ 5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.4A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта PHKD13

Рекомендуемые продукты

PHKD13N03LT,518 DataSheet PDF