Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > PEMD10,115
NXP USA Inc.

PEMD10,115

Номер детали производителя PEMD10,115
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание NOW NEXPERIA PEMD10 - SMALL SIGN
Упаковка SOT-666
В наличии 108407 pcs
Техническая спецификация PEMD10,115 DatasheetPEMD10,115 Datasheet
Справочная цена (В долларах США)
1
$0.392
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 108407 NXP USA Inc. PEMD10,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства SOT-666
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2kOhms
Мощность - Макс 300mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Bulk
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход -
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта PEMD10

Рекомендуемые продукты

PEMD10,115 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PEMD10,115

Связанные детали для PEMD10,115