Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > PDTB123ET,215
NXP USA Inc.

PDTB123ET,215

Номер детали производителя PDTB123ET,215
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание NOW NEXPERIA PDTB123ET - SMALL S
Упаковка SOT-23
В наличии 3906272 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
7040
$0.011
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 3906272 NXP USA Inc. PDTB123ET,215 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SOT-23
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 2.2 kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2 kOhms
Мощность - Макс 250 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Bulk
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
Базовый номер продукта PDTB123

Рекомендуемые продукты

PDTB123ET,215 DataSheet PDF

Ключевые слова для PDTB123ET,215

Связанные детали для PDTB123ET,215