PDTB113ES,126

Номер детали производителя	PDTB113ES,126
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Упаковка	TO-92-3
В наличии	4389 pcs
Техническая спецификация	PDTB113E

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 4389 NXP Semiconductors / Freescale PDTB113ES,126 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор	PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	TO-92-3
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	1 kOhms
Резистор - основание (R1)	1 kOhms
Мощность - Макс	500mW
упаковка	Tape & Box (TB)
Упаковка /	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Свойства продукта	Значение атрибута
Другие названия	934059144126 PDTB113ES AMO PDTB113ES AMO-ND
Тип установки	Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	33 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	500mA
Номер базового номера	PDTB113