Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PDTA123JK,115

Номер детали производителя	PDTA123JK,115
производитель	NXP USA Inc.
Подробное описание	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
Упаковка	SMT3; MPAK
В наличии	4996 pcs
Техническая спецификация	PDTA123J All Dev Label Update 15/Dec/2020 Multiple Devices 30/Jun/2009 NXP USA Inc REACH NXP USA Inc RoHS Cert

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 4996 NXP USA Inc. PDTA123JK,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор	PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	SMT3; MPAK
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	47 kOhms
Резистор - основание (R1)	2.2 kOhms
Мощность - Макс	250 mW

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип установки	Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100 mA
Базовый номер продукта	PDTA123