Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > PBSS5230QAZ
NXP Semiconductors

PBSS5230QAZ

Номер детали производителя PBSS5230QAZ
производитель NXP Semiconductors
Подробное описание NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
Упаковка DFN1010D-3
В наличии 1680949 pcs
Техническая спецификация PBSS5230QA
Справочная цена (В долларах США)
4691
$0.023
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors.У нас есть кусочки 1680949 NXP Semiconductors PBSS5230QAZ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 30 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 210mV @ 50mA, 1A
Тип транзистор PNP
Поставщик Упаковка устройства DFN1010D-3
Серии -
Мощность - Макс 325 mW
Упаковка / 3-XDFN Exposed Pad
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Bulk
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 170MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 2 A

Рекомендуемые продукты

PBSS5230QAZ DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PBSS5230QAZ

Связанные детали для PBSS5230QAZ