Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > PBSS5130PAP,115
NXP USA Inc.

PBSS5130PAP,115

Номер детали производителя PBSS5130PAP,115
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание NOW NEXPERIA PBSS5130PAP - SMALL
Упаковка 6-HUSON (2x2)
В наличии 5834 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 5834 NXP USA Inc. PBSS5130PAP,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 30V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 280mV @ 50mA, 1A
Тип транзистор 2 PNP (Dual)
Поставщик Упаковка устройства 6-HUSON (2x2)
Серии -
Мощность - Макс 510mW
Упаковка / 6-UFDFN Exposed Pad
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 125MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 170 @ 500mA, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 1A
Базовый номер продукта PBSS5130

Рекомендуемые продукты

PBSS5130PAP,115 DataSheet PDF