PBRN113ES,126

Номер детали производителя	PBRN113ES,126
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Упаковка	TO-92-3
В наличии	5932 pcs
Техническая спецификация	PBRN113E Series

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 5932 NXP Semiconductors / Freescale PBRN113ES,126 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	40V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	1.15V @ 8mA, 800mA
Тип транзистор	NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	TO-92-3
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	1 kOhms
Резистор - основание (R1)	1 kOhms
Мощность - Макс	700mW
упаковка	Tape & Box (TB)
Упаковка /	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Свойства продукта	Значение атрибута
Другие названия	934058999126 PBRN113ES AMO PBRN113ES AMO-ND
Тип установки	Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 300mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	800mA
Номер базового номера	PBRN113