Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

BUK9E04-30B,127

Номер детали производителя	BUK9E04-30B,127
производитель	NXP USA Inc.
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Упаковка	I2PAK
В наличии	3979 pcs
Техническая спецификация	Multiple Devices 29/Dec/2014 All Dev Label Update 15/Dec/2020 NXP USA Inc REACH NXP USA Inc RoHS Cert

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 3979 NXP USA Inc. BUK9E04-30B,127 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Vgs (макс.)	±15V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	I2PAK
Серии	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	254W (Tc)
Упаковка /	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	6526 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	56 nC @ 5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	75A (Tc)
Базовый номер продукта	BUK9