Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BUK961R4-30E,118
BUK961R4-30E,118 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

BUK961R4-30E,118

Номер детали производителя BUK961R4-30E,118
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 4251 pcs
Техническая спецификация MCU Dip Supply Situation 12/May/2015Multiple Devices 01/Jul/2014All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertBUK961R4-30EMultiple Devices 03/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 4251 NXP USA Inc. BUK961R4-30E,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Vgs (макс.) ±10V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 25A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс) 357W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 16150 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 113 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)
Базовый номер продукта BUK96

Рекомендуемые продукты

BUK961R4-30E,118 DataSheet PDF

Техническая спецификация