Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BUK769R6-80E,118
NXP USA Inc.

BUK769R6-80E,118

Номер детали производителя BUK769R6-80E,118
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 5735 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 5735 NXP USA Inc. BUK769R6-80E,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 182W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4682 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 59.8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 75A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BUK769R6-80E,118 DataSheet PDF

Ключевые слова для BUK769R6-80E,118

Связанные детали для BUK769R6-80E,118