Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BUK662R7-55C,118
NXP USA Inc.

BUK662R7-55C,118

Номер детали производителя BUK662R7-55C,118
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание PFET, 120A I(D), 55V, 0.0044OHM,
Упаковка D2PAK
В наличии 4024 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 4024 NXP USA Inc. BUK662R7-55C,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Vgs (макс.) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 306W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 15300 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 258 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BUK662R7-55C,118 DataSheet PDF

Ключевые слова для BUK662R7-55C,118

Связанные детали для BUK662R7-55C,118