Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - RF > A3I25X050GNR1
NXP USA Inc.

A3I25X050GNR1

Номер детали производителя A3I25X050GNR1
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание AIRFAST RF LDMOS INTEGRATED POWE
Упаковка OM-400G-8
В наличии 3098 pcs
Техническая спецификация NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert
Справочная цена (В долларах США)
500
$14.366
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 3098 NXP USA Inc. A3I25X050GNR1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - испытания 28 V
Напряжение - Номинальный 65 V
Технологии LDMOS (Dual)
Поставщик Упаковка устройства OM-400G-8
Серии -
Выходная мощность 5.6W
Упаковка / OM-400G-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Коэффициент шума -
Тип установки Surface Mount
Усиление 28.8dB @ 3.84GHz
частота 2.3GHz ~ 2.7GHz
Текущий рейтинг (AMP) 10µA
Ток - Тест 130 mA
конфигурация 2 N-Channel

Рекомендуемые продукты

A3I25X050GNR1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для A3I25X050GNR1

Связанные детали для A3I25X050GNR1