FQB55N10TM
| Номер детали производителя | FQB55N10TM |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 4336 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 4336 Fairchild Semiconductor FQB55N10TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 27.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 55A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FQB4P40TM
MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAKonsemi -
FQB5N15TM
MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAKonsemi -
FQB50N06LTM
MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAKonsemi -
FQB55N10TM
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAKonsemi -
FQB5N40TM
MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB5N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAKonsemi -
FQB50N06TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAKonsemi -
FQB4N80TM
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAKonsemi -
FQB5N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAKonsemi -
FQB5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAKonsemi -
FQB55N06TM
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAKonsemi -
FQB4N80TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB5N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB55N06TM
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB4P25TM
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAKonsemi -
FQB5N40TM
MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAKonsemi -
FQB50N06TM
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKonsemi -
FQB5N20TM
MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAKonsemi -
FQB4N90TM
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAKonsemi